ATP µSD 750Si/c

High endurance µSD Karte mit pseudoSLC Flash

  • pseudoSLC NAND Flash
  • 5000 Schreib-Löschzyklen pro Block
  • SIP Fertigungsprozess
  • Wasser- und Staubdicht
  • Power Loss Protection
  • Auto-Refresh Technologie
  • geringe Latenz
InterfaceUHS-I
Flash Typpseudo SLC auf Basis 3D TLC
Kapazitäten8, 16, 32, 64GB
I/O Performancek.A.
Streaming Performancebis zu 99MB/s Sustained Read und
82MB/s Sustained Write
(abhängig von der Kapazität)
Spannungsversorgung3,3VCC +/- 5%
Leistungsaufnahmemax. 1,2W
Flash ManagementECC LDPC Fehlerkorrektur
Global Wear Leveling
Bad Block Management
TRIM
Garbage Collection
S.M.A.R.T. Monitoring
SD Life Monitor Tool
Read Retry and Auto Read Calibration (ARC)
Read Disturb Protector
Auto-Refresh
Sudden Power Loss Protection
Betriebstemperaturbereich-25°C bis 70°C Standard Temperaturbereich
-40°C bis +85°C Industrie Temperaturbereich
Zusätzliche AusstattungSiP (System-In-Package) Ferigungsprozess
Schreibschutz (optional)
Conformal Coating (optional)
Lebensdauer (TBW)436TB (8GB) bis 3490TB (64GB) geschriebene Daten (Sequential Write)
MTBF>3.000.000 Stunden
Herstellergarantie2 Jahre
Formfaktor / MaßeµSD / 11 * 15 * 1 mm (BxLxH)

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