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M.2 NGFF SATA Modul

Die M.2 Module entsprechen dem JEDEC M.2 Standard Next Generation Form Faktor (NGFF) mit einem SATA III Interface und ersetzt die traditionelle Festplatte oder SSD in Designs für die herkömmliche Formate zu groß sind.
Im Vergleich zu mSATA Modulen bietet das M.2 eine bessere Performance bei kleineren Abmaßen. Das M.2 kann außerdem mit einer extrem niedrigen Bauhöhe und einem sehr geringen Stromverbrauch punkten. Damit ist sie ein ideales Bootmedium für embedded Devices, das die Bootzeit signifikant verkürzt. Es eignet sich aber auch besonders für den Einbau in Tablets und Ultrabooks, die häufig bereits mit einer M.2 NGFF Schnittstelle, die als Nachfolger von mSATA konzipiert wurde, ausgestattet sind.

Die M.2 Module von InnoDisk und ATP ist in verschiedenen Abmessungen mit SLC enhanced MLC und MLC Speicher und in Kapazitäten von 4GB bis 1TB (je nach Ausführung) erhältlich.

  • Ausgezeichnete Read/Write Performance
  • Keine beweglichen Teile
  • Sehr kompaktes, vibrationshemmendes Design
  • JEDEC M.2(NGFF)
  • Standard M.2 Stecker
  • SATA III Interface
  • ECC Defect Management
  • Statisches und dynamisches Wear Leveling
  • Intelligente Fehlerkorrektur
  • S.M.A.R.T Funktionen
  • Stoß- und Vibrationsfest
  • Geringe Leistungsaufnahme
  • Industrie Temperaturbereich optional
  • M.2 2242
  • M.2 2260
  • M.2 2280

M.2 2242

  • ATP M.2 2242 D2-B-M SLC
  • InnoDisk M.2 (S42) 3SE4
  • ATP M.2 2242 aMLC
  • InnoDisk M.2 (S42) 3IE4
  • ATP M.2 2242 D2-B-M MLC
  • InnoDisk M.2 (S42) 3ME4
  • InnoDisk M.2 (S42) 3MG2-P
  • InnoDisk M.2 (S42) 3TG6-P
  • InnoDisk M.2 (S42) 3TE7
Spezifikation ATP M.2 2242 D2-B-M SLC
Maße 22mm x 3,5mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State SLC NAND Flash (Industriestandard)
Datentransferrate bis zu 530MB/s Sustained Read und
400MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 76000 IOPS (Random Read / Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Advanced Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
TRIM
AutoRefresh
PowerProtector
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 2,2W (Sustained Write)
Kapazität 8, 16, 32, 64GB
Temperaturbereich (Betrieb) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 114,29TB(8GB) bis 914,29TB (64GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Lebensdauer (DWPD) max. 77,9
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S42) 3SE4
Maße 22mm x 3mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State SLC NAND Flash (Industriestandard)
Datentransferrate bis zu 520MB/s Sustained Read und
360MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 32000 IOPS (Random Read) und
29000 IOPS (Random Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Schreibschutz
Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 185mA
Kapazität 8, 16, 32, 64GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 312,5TB (8GB) bis 2500TB (64GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation ATP M.2 2242 aMLC
Maße 22mm*3,5mm*42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State aMLC (enhanced MLC) NAND Flash
Datentransferrate bis zu 520MB/s Sustained Read und
150MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 6571 IOPS Random Read und 50626 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Advanced Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
TRIM
AutoRefresh
PowerProtector
Datensicherheit 5 Jahre
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 1,75W (Sustained Write)
Kapazität 16, 32, 128GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 731,43TB (128GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Lebensdauer (DWPD) max. 46,8
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S42) 3IE4
Maße 22mm x 3mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State iSLC (enhanced MLC) NAND Flash
Datentransferrate bis zu 540MB/s Sustained Read und
400MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 32000 IOPS (Random Read/Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Hardware Write Protect (optional)
Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
kein DRAM Puffer
Datensicherheit 10 Jahre
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 460mA
Kapazität 8, 16, 32, 64, 128GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 104,2TB (8GB) bis 1388,9TB (128GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation ATP M.2 2242 D2-B-M MLC
Maße 22mm x 3,5mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3D MLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 520MB/s Sustained Read und
150MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 70000 IOPS Random Read
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Advanced Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
TRIM
AutoRefresh
PowerProtector
Datensicherheit 5 Jahre
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 1,75W (Sustained Write)
Kapazität 32, 64, 128, 256GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 13,7TB (32GB) bis 109,72TB (256GB) geschriebene Daten (JEDEC 128)
Lebensdauer (DWPD) max. 3,5
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S42) 3ME4
Maße 22mm x 3,8mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 530MB/s Sustained Read und
210MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 32000 IOPS (Random Read) und 30000 IOPS (Random Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Conformal Coating (optional)
Flash Management L³ Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 818mA
Kapazität 8, 16, 32, 64, 128, 256GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 15,6TB (8GB) bis 416,6TB (256GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S42) 3MG2-P
Maße 22mm x 3,2mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 560MB/s Sustained Read und
360MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance 51000 IO/PS Random Read/Write
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
DEVSLP
Conformal Coating (optional)
Flash Management L² Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 788mA
Kapazität 16,32,64, 128, 256GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 18,8TB (16GB) bis 300TB (256GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 3Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S42) 3TG6-P
Maße 22mm x 3,2mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3D TLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 560MB/s Sustained Read und
510MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 75000 IOPS Random Read und 66600 IOPS RandomWrite
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Conformal Coating (optional)
Flash Management L³ Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
iPower Guard
DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 739mA
Kapazität 128, 256, 512GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 150TB (128GB) bis 600TB (512GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 3Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S42) 3TE7
Maße 22mm x 3,2mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3D TLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 550MB/s Sustained Read und
330MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 81600 IOPS Random Read und 74300 IOPS RandomWrite
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Conformal Coating (optional)
Flash Management L³ Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
iPower Guard
DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 1010mA (Startup) bzw. 475mA (Write)
Kapazität 32, 64, 128, 256, 512GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 37,5TB (128GB) bis 500TB (512GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 2Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung

M.2 2260

  • ATP M.2 2260 D2-B-M SLC
  • ATP M.2 2260 D2-B-M aMLC
  • ATP M.2 2260 D2-B-M MLC
  • InnoDisk M.2 (S60) 3ME3
Spezifikation ATP M.2 2260 D2-B-M SLC
Maße 22mm x 3,5mm x 60mm, 2260-D2-B-M Form Faktor
Solid State SLC NAND Flash (Industriestandard)
Datentransferrate bis zu 540MB/s Sustained Read und
430MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 76000 IOPS Random Read und 75000 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Advanced Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
TRIM
AutoRefresh
PowerProtector
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 2,55W (Sustained Write)
Kapazität 32, 64, 128GB
Temperaturbereich (Betrieb) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 457,14TB (32GB) bis 1828,57TB (128GB) geschriebene Daten (JEDEC 128)
Lebensdauer (DWPD) max. 78
Herstellergarantie 3 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation ATP M.2 2260 aMLC
Maße 22mm x 3,5mm x 60mm, 2260-D2-B-M Form Faktor
Solid State aMLC (enhanced MLC) NAND Flash
Datentransferrate bis zu 550MB/s Sustained Read und
440MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 73000 IOPS Random Read/Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Advanced Wear Leveling,
AutoRefresh
Bad Block Management
TRIM
S.M.A.R.T. Unterstützung
PowerProtector
Datensicherheit 5 Jahre
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch k.A.
Kapazität 64, 128, 256, 512GB
Temperaturbereich (Betrieb) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 365,71TB (64GB) bis 2925,71TB (512GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Lebensdauer (DWPD) max. 46,8
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation ATP M.2 2260 D2-B-M MLC
Maße 22mm x 3,5mm x 60mm, 2260-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3 D MLC NAND Flash (Industriestandard)
Datentransferrate bis zu 550MB/s Sustained Read und
450MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 69000 IOPS Random Read und 79000 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Advanced Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
TRIM
AutoRefresh
PowerProtector
Datensicherheit 5 Jahre
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 4,42W (Sustained Write)
Kapazität 64, 128, 256, 512GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 27,43B (64GB) bis 219,43TB (512GB) geschriebene Daten (JEDEC 128)
Lebensdauer (DWTB) max 14
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S60) 3ME3
Maße 22mm x 3,5mm x 60mm, 2260-D2-B-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 415MB/s Sustained Read und
200MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 10700 IOPS (Random Read) und
28700 IOPS (Random Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor (nur Industrie Temp. Ausführung)
Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 482mA
Kapazität 32, 64, 128, 256, 512GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 9,4TB (32GB) bis 150TB (512GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung

M.2 2280

  • InnoDisk M.2 (S80) 3SE4
  • ATP M.2 2280 aMLC
  • InnoDisk M.2 (S80) 3IE4
  • ATP M.2 2280 MLC
  • InnoDisk M.2 (S80) 3ME4
  • InnoDisk M.2 (S80) 3MG2-P
  • InnoDisk M.2 (S80) 3TG6-P
  • InnoDisk M.2 (S80) 3TE7
Spezifikation InnoDisk M.2 (S80) 3SE4
Maße 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State  
Datentransferrate bis zu 520MB/s Sustained Read und
360MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 32000 IOPS (Random Read) und
29000 IOPS (Random Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 490mA
Kapazität 38, 16, 32, 64GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 312,5TB (8GB) bis 2500TB (64GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation ATP M.2 2280 aMLC
Maße 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State Enhanced MLC NAND Flash (Industriestandard)
Datentransferrate bis zu 530MB/s Sustained Read und
440MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 73000 IOPS (Random Read) und
79000 IOPS (Random Write)
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Advanced Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
TRIM
AutoRefresh
PowerProtector
Datensicherheit 5 Jahre
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 3,4W (Sustained Write)
Kapazität 64, 128, 256, 512GB
Temperaturbereich (Betrieb) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 365,71TB (64GB) bis 2925,71TB (512GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Lebensdauer (DWPD) max. 46,8
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S80) 3IE4
Maße 22mm x 3,5mm x 80mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State iSLC (enhanced MLC) NAND Flash
Datentransferrate bis zu 540MB/s Sustained Read und
400MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 32000 IOPS (Random Read/Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Hardware Write Protect (optional)
Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard Power Management
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 460mA
Kapazität 8, 16, 32, 64, 128GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 104,2TB (8GB) bis 1388,9TB (128GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation ATP M.2 2280 3D MLC
Maße 22mm x 3,5mm x 80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3D MLC NAND Flash (Industriestandard)
Datentransferrate bis zu 540MB/s Sustained Read und
420MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 71000 IOPS Random Read und Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Advanced Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
TRIM
AutoRefresh
PowerProtector
Datensicherheit 5 Jahre
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 4,36W (Sustained Write)
Kapazität 128, 192, 256, 384, 512GB, 1TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 45,71TB (128GB) bis 365,71TB (256GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Lebensdauer (DWPD) max. 3,5
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S80) 3ME4
Maße 22mm x 3,5mm x 80mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 530MB/s Sustained Read und
190MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 32000 IOPS (Random Read) und
31000 IOPS (Random Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Conformal Coating (optional)
Flash Management L³ Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 610mA (Startup)
max 400mA (Write)
Kapazität 8, 16, 32, 64,128, 256GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 15,6TB (8GB) bis 416TB (256GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S80) 3MG2-P
Maße 22mm x 3,5mm x 80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 530MB/s Sustained Read und
450MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 80100 IOPS RandomRead und
78000 IOPS Random Write (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
DEVSLP
Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
iCell (optional für 64 bis 512GB)
DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 1390mA
Kapazität 32, 64, 128, 256, 512GB, 1TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 37,5TB (32GB) bis 1172TB (1TB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 3 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S80) 3TG6-P
Maße 22mm x 3,5mm x 80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3D TLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 560MB/s Sustained Read und
510MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 89000 IOPS Random Read und
66200 IOPS RandomWrite
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Conformal Coating (optional)
Flash Management L³ Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
iPower Guard
DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 800mA (sustained write)
Kapazität 128, 256, 512GB, 1TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 150TB (128GB) bis 1172TB (1TB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 3 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S80) 3TE7
Maße 22mm x 3,5mm x 80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3D TLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 560MB/s Sustained Read und
340MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 83200 IOPS Random Read und
75300 IOPS RandomWrite
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Conformal Coating (optional)
Hardware-Schreibschutz (optional)
Flash Management L³ Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
Garbage Collection
S.M.A.R.T. Unterstützung
TRIM
iData Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 967mA (Startup)
max 614mA (sustained write)
Kapazität 32, 64, 128, 256, 512GB, 1TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 37,5TB (32GB) bis 1000TB (1TB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung