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M.2 NGFF SATA Modul

Die M.2 Module entsprechen dem JEDEC M.2 Standard Next Generation Form Faktor (NGFF) mit einem SATA III Interface und ersetzt die traditionelle Festplatte oder SSD in Designs für die herkömmliche Formate zu groß sind.
Im Vergleich zu mSATA Modulen bietet das M.2 eine bessere Performance bei kleineren Abmaßen. Das M.2 kann außerdem mit einer extrem niedrigen Bauhöhe und einem sehr geringen Stromverbrauch punkten. Damit ist sie ein ideales Bootmedium für embedded Devices, das die Bootzeit signifikant verkürzt. Es eignet sich aber auch besonders für den Einbau in Tablets und Ultrabooks, die häufig bereits mit einer M.2 NGFF Schnittstelle, die als Nachfolger von mSATA konzipiert wurde, ausgestattet sind.

Die M.2 Module von ATP, Innodisk und Novachips sind in verschiedenen Abmessungen mit SLC, enhanced MLC und MLC Speicher und in Kapazitäten von 4GB bis 2TB (je nach Ausführung) erhältlich.

  • Ausgezeichnete Read/Write Performance
  • Keine beweglichen Teile
  • Sehr kompaktes, vibrationshemmendes Design
  • JEDEC M.2(NGFF)
  • Standard M.2 Stecker
  • SATA III Interface
  • ECC Defect Management
  • Statisches und dynamisches Wear Leveling
  • Intelligente Fehlerkorrektur
  • S.M.A.R.T Funktionen
  • Stoß- und Vibrationsfest
  • Geringe Leistungsaufnahme
  • Industrie Temperaturbereich optional
  • M.2 2242
  • M.2 2260
  • M.2 2280

M.2 2242

  • ATP M.2 2242 D2-B-M SLC
    (A80Pi)
  • InnoDisk M.2 (S42) 3SE4
  • ATP M.2 2242 pSLC
    (A700Pc)
  • InnoDisk M.2 (S42) 3IE4
  • InnoDisk M.2 (S42) 3IE7
  • ATP M.2 2242 MLC
    (A600Si/A600Sc)
  • InnoDisk M.2 (S42) 3ME4
  • InnoDisk M.2 (S42) 3MG2-P
  • ATP M.2 2242 TLC
    (A600sc/A600si)
  • InnoDisk M.2 (S42) 3TG6-P
  • InnoDisk M.2 (S42) 3TE7
  • InnoDisk M.2 (S42)
    InnoOSR 3TO7
Spezifikation ATP M.2 2242 SLC (A800Pi)
Maße 22mm x 3,5mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State SLC NAND Flash (Industriestandard)
Datentransferrate bis zu 530MB/s Sustained Read und
400MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 76000 IOPS (Random Read / Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management LDPC ECC,
Advanced Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
NCQ
TRIM
Temperaturüberwachung
Secure Erase
Dynamic Data Refresh
AutoRefresh
PowerProtector
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 2,2W (Sustained Write)
Kapazität 8, 16, 32, 64GB
Temperaturbereich (Betrieb) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 114,29TB(8GB) bis 914,29TB (64GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S42) 3SE4
Maße 22mm x 3mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State SLC NAND Flash (Industriestandard)
Datentransferrate bis zu 520MB/s Sustained Read und
360MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 32000 IOPS (Random Read) und
29000 IOPS (Random Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Schreibschutz
Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 1W
Kapazität 8, 16, 32, 64GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 312,5TB (8GB) bis 2500TB (64GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation ATP M.2 2242 pSLC (A700Pc)
Maße 22mm*3,5mm*42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State pSLC (pseudo SLC) NAND Flash
Datentransferrate bis zu 520MB/s Sustained Read und
150MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 6571 IOPS Random Read und 50626 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management LDPC ECC,
Advanced Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
NCQ
TRIM
Temperaturüberwachung
Secure Erase
Dynamic Data Refresh
AutoRefresh
PowerProtector
Datensicherheit 5 Jahre
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 1,75W (Sustained Write)
Kapazität 16, 32GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 91,40 (16GB) bis 182,85TB (32GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S42) 3IE4
Maße 22mm x 3mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State iSLC (enhanced MLC) NAND Flash
Datentransferrate bis zu 540MB/s Sustained Read und
400MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 32000 IOPS (Random Read/Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Hardware Write Protect (optional)
Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
kein DRAM Puffer
Datensicherheit 10 Jahre
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max.1,52W
Kapazität 8, 16, 32, 64, 128GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 104,2TB (8GB) bis 1388,9TB (128GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S42) 3IE7
Maße 22mm x 3mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State iSLC (enhanced MLC) NAND Flash
Datentransferrate bis zu 560MB/s Sustained Read und
525MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 86500 IOPS (Random Read) und
bis zu 76500 IOPS (Random Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Hardware Write Protect (optional)
Conformal Coating (optional)
Flash Management L³ Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
Die RAID
iData Guard Power Management
iPower Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max.2,7W
Kapazität 20, 40, 80, 160GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 390TB (20GB) bis 3125TB (160GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation ATP M.2 2242 MLC (A600Si/A600Sc)
Maße 22mm x 3,5mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3D MLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 440MB/s Sustained Read und
80MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 38400 IOPS Random Read
bis zu 20000 IOPS Random
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management BCH ECC,
Advanced Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
TRIM
Temperaturüberwachung
Secure Erase
Static und dynamic Data Refresh
AutoRefresh
PowerProtector
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 1,52W (Sustained Write)
Kapazität 16, 32, 64GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 7,38TB (16GB) bis 29,54TB (64GB) geschriebene Daten
(JEDEC 128)
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S42) 3ME4
Maße 22mm x 3,8mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 530MB/s Sustained Read und
210MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 32000 IOPS (Random Read) und 30000 IOPS (Random Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Conformal Coating (optional)
Flash Management L³ Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 2,7W
Kapazität 8, 16, 32, 64, 128, 256GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 15,6TB (8GB) bis 416,6TB (256GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S42) 3MG2-P
Maße 22mm x 3,2mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 560MB/s Sustained Read und
360MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance 51000 IO/PS Random Read/Write
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
DEVSLP
Conformal Coating (optional)
Flash Management L² Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 2,6W
Kapazität 32,64, 128, 256GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 18,8TB (16GB) bis 300TB (256GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 3Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation ATP M.2 2242 TLC (A600sc/A600si)
Maße 22mm*3,35mm*42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3D TLC NAND Flash
Auch als pSLC Ausführung verfügbar
Datentransferrate bis zu 560MB/s Sustained Read und
440MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 100000 IOPS Random Read
bis zu 88000 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management LDPC ECC,
Advanced Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
NCQ
TRIM
Temperaturüberwachung
AES-256 (optional)
Secure Erase
Dynamic Data Refresh
AutoRefresh
PowerProtector
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 3,5W (Sustained Write)
Kapazität 120, 240, 480GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 349TB (120GB) bis 1396TB (4800GB) geschriebene Daten(JEDEC 128)
Herstellergarantie 2Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S42) 3TG6-P
Maße 22mm x 3,2mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3D TLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 560MB/s Sustained Read und
510MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 76800 IOPS Random Read und 66600 IOPS RandomWrite
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Conformal Coating (optional)
Flash Management L³ Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
iPower Guard
DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 2,6W
Kapazität 128, 256, 512GB, 1TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 150TB (128GB) bis 1200TB (1TB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 3Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S42) 3TE7
Maße 22mm x 3,2mm x 42mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3D TLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 550MB/s Sustained Read und
330MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 81600 IOPS Random Read und 74300 IOPS RandomWrite
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Conformal Coating (optional)
Flash Management L³ Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
iPower Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 1,48W
Kapazität 32, 64, 128, 256, 512GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 37,5TB (128GB) bis 500TB (512GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 3Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S42) InnoOSR 3TO7
Maße 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3D TLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 500MB/s Sustained Read und
330MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 57000 IOPS (Random Read) und
73500 IOPS (Random Write)(abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung OSR Toolkit für autonome Überwachung
Reservierte GPIO-Pins zum Triggern des Recovery Prozesses und
Anschluß einer LED zur Signalisierung des Recovery Status
Temperatursensor
Conformal Coating (optional)
Flash Management Internes Beriebssystem Backup in gesichertem Speicherbereich
(10, 20 oder 30GB wählbar, abhängig von der Kapazität)
On-Site Datensicherung und -wiederherstellung
Patentierte Heartbeat-Funktion auf Firmware Ebene
LDPC ECC,
DIE RAID Recovery
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 3,3W
Kapazität 32, 64, 128, 256, 512GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 37,5TB (32GB) bis 500TB (512GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 3Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung

M.2 2260

  • ATP M.2 2260 SLC (A800Pi)
  • ATP M.2 2260 MLC (A600Sc/A600Si)
  • InnoDisk M.2 (S60) 3ME3
  • Novachips M.2 2260 pSLC
  • Novachips M.2 2260 MLC
Spezifikation ATP M.2 2260 SLC (A800Pi)
Maße 22mm x 3,5mm x 60mm, 2260-D2-B-M Form Faktor
Solid State SLC NAND Flash (Industriestandard)
Datentransferrate bis zu 540MB/s Sustained Read und
430MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 76000 IOPS Random Read und 75000 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management BCH ECC,
Advanced Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
TRIM
Temperaturüberwachung
Secure Erase
Static und dynamic Data Refresh
AutoRefresh
PowerProtector
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 2,55W (Sustained Write)
Kapazität 32, 64, 128GB
Temperaturbereich (Betrieb) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 457,14TB (32GB) bis 1828,57TB (128GB) geschriebene Daten (JEDEC 128)
Herstellergarantie 3 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation ATP M.2 2260 MLC (A600Sc/A600Si)
Maße 22mm x 3,5mm x 60mm, 2260-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3 D MLC NAND Flash (Industriestandard)
Datentransferrate bis zu 440MB/s Sustained Read und
80MB/s Sustained Write
I/O Performance bis zu 38400 IOPS Random Read und 2000 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management BCH ECC,
Advanced Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
TRIM
Temperaturüberwachung
Static und dynamic Data Refresh
AutoRefresh
PowerProtector
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 1,58W (Sustained Write)
Kapazität 64GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 27,43TB geschriebene Daten (JEDEC 128)
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S60) 3ME3
Maße 22mm x 3,5mm x 60mm, 2260-D2-B-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 415MB/s Sustained Read und
200MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 10700 IOPS (Random Read) und
28700 IOPS (Random Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor (nur Industrie Temp. Ausführung)
Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 1,6W
Kapazität 32, 64, 128, 256, 512GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 9,4TB (32GB) bis 150TB (512GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation Novachips M.2 2260 pSLC
Maße 22mm*3,5mm*60mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State pSLC HL NAND Flash
Datentransferrate bis zu 500MB/s Sustained Read/Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 50000 IOPS RandomRead/Write (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Temperaturmanagement
FIPS 179 Standard
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 3,8W
Kapazität 500GB
Temperaturbereich (Betrieb) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 1250TB geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation Novachips M.2 2260 MLC
Maße 22mm*3,5mm*80mm, 2260-D2-B-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 500MB/s Sustained Read/Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 50000 IOPS RandomRead/Write (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Temperaturmanagement (Military Grade)
FIPS 179 Standard (Military Grade)
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 4,6W
Kapazität 1, 2TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 15TB (60GB) bis 180TB (2TB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 3 Jahre (Legacy NAND)
5 Jahre (HL-NAND)
Bestellinformation
auf Anforderung

M.2 2280

  • InnoDisk M.2 (S80) 3SE4
  • ATP M.2 2280 pSLC (A700Pi)
  • InnoDisk M.2 (S80) 3IE4
  • InnoDisk M.2 (S80) 3IE7
  • Novachips M.2 2280 pSLC
  • InnoDisk M.2 (S80) 3ME4
  • InnoDisk M.2 (S80) 3MG2-P
  • Novachips M.2 2280 MLC
  • ATP M.2 2280TLC
    (A600sc/A600si)
  • InnoDisk M.2 (S80) 3TG6-P
  • InnoDisk M.2 (S80) 3TE7
  • InnoDisk M.2 (S80) 3TI7 InnoAGE
Spezifikation InnoDisk M.2 (S80) 3SE4
Maße 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State  
Datentransferrate bis zu 520MB/s Sustained Read und
360MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 32000 IOPS (Random Read) und
29000 IOPS (Random Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme 1,6W
Kapazität 38, 16, 32, 64GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 312,5TB (8GB) bis 2500TB (64GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation ATP M.2 2280 pSLC (A700Pi)
Maße 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State pseudo SLC NAND Flash (Industriestandard)
Datentransferrate bis zu 550MB/s Sustained Read und
400MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 73000 IOPS (Random Read) und
79000 IOPS (Random Write)
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management BCH ECC,
Advanced Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
TRIM
Temperaturüberwachung
Firmware live Update
Secure Erase
Static und dynamic Data Refresh
AutoRefresh
PowerProtector
Datensicherheit 5 Jahre
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 3,4W (Sustained Write)
Kapazität 64, 128, 256, 512GB
Temperaturbereich (Betrieb) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 365,71TB (64GB) bis 2925,71TB (512GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S80) 3IE4
Maße 22mm x 3,5mm x 80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State iSLC (enhanced MLC) NAND Flash
Datentransferrate bis zu 540MB/s Sustained Read und
400MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 32000 IOPS (Random Read/Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Hardware Write Protect (optional)
Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard Power Management
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 1,5W
Kapazität 8, 16, 32, 64, 128GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 104,2TB (8GB) bis 1388,9TB (128GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S80) 3IE7
Maße 22mm x 3,5mm x 80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State iSLC (enhanced TLC) NAND Flash
Datentransferrate bis zu 500MB/s Sustained Read und
595MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 88300 IOPS (Random Read) und
bis zu 75200 IOPS (Random Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Hardware Write Protect (optional)
Conformal Coating (optional)
Flash Management L³ Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
Die RAID
iData Guard Power Management
iPower Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 2W
Kapazität 20, 40, 80, 160, 320GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 390TB (20GB) bis 6250TB (320GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation Novachips M.2 2280 pSLC
Maße 22mm*3,5mm*80mm, 2260-D2-B-M Form Faktor
Solid State pSLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 500MB/s Sustained Read/Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 50000 IOPS RandomRead/Write (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Temperaturmanagement (Military Grade)
FIPS 179 Standard (Military Grade)
FIPS 140-2 Standard (nur 500GB Military Grade, optional)
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 3,8W
Kapazität 30, 60, 125, 250, 500GB
Temperaturbereich (Betrieb) -40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 80TB (30GB) bis 1250TB (500GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 3 Jahre (Legacy NAND)
5 Jahre (NV- und HL-NAND)
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S80) 3ME4
Maße 22mm x 3,5mm x 80mm, 2242-D2-B-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 530MB/s Sustained Read und
190MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 32000 IOPS (Random Read) und
31000 IOPS (Random Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Conformal Coating (optional)
Flash Management L³ Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 1,3W
Kapazität 8, 16, 32, 64,128, 256GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 15,6TB (8GB) bis 416TB (256GB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S80) 3MG2-P
Maße 22mm x 3,5mm x 80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 530MB/s Sustained Read und
450MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 80100 IOPS RandomRead und
78000 IOPS Random Write (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
DEVSLP
Conformal Coating (optional)
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
iCell (optional für 64 bis 512GB)
DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 4,6W
Kapazität 32, 64, 128, 256, 512GB, 1TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 37,5TB (32GB) bis 1172TB (1TB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 3 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation Novachips M.2 2280 MLC
Maße 22mm*3,5mm*80mm, 2260-D2-B-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 500MB/s Sustained Read/Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 50000 IOPS RandomRead/Write (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Temperaturmanagement (Military Grade)
FIPS 179 Standard (Military Grade)
FIPS 140-2 Standard (nur 500GB Military Grade, optional)
Flash Management ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 4,6W
Kapazität 60GB (nur Military Grade], 125, 250, 500GB, 1, 2TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 15TB (60GB) bis 180TB (2TB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 3 Jahre (Legacy NAND)
5 Jahre (NV- und HL-NAND)
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation ATP M.2 2280TLC (A600sc/A600si)
Maße 22mm*3,35mm*80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3D TLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 560MB/s Sustained Read und
440MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 100000 IOPS Random Read
bis zu 88000 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Flash Management LDPC ECC,
Advanced Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
NCQ
TRIM
Temperaturüberwachung
AES-256 (optional)
Secure Erase
Dynamic Data Refresh
AutoRefresh
PowerProtector
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 7,1W (Sustained Write)
Kapazität 120, 240, 480, 960GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 349TB (120GB) bis 2792TB (960GB) geschriebene Daten (JEDEC 128)
Lebensdauer (DWPD) max. 4,0
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S80) 3TG6-P
Maße 22mm x 3,5mm x 80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3D TLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 560MB/s Sustained Read und
510MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 89000 IOPS Random Read und
66200 IOPS RandomWrite
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Conformal Coating (optional)
Flash Management L³ Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
iCell (optional)
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 2,88W
Kapazität 128, 256, 512GB, 1, 2TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 150TB (128GB) bis 2344TB (2TB) geschriebene Daten (JEDEC 218)
Herstellergarantie 3 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S80) 3TE7
Maße 22mm x 3,2mm x 80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3D TLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 560MB/s Sustained Read und
500MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 79000 IOPS Random Read und
61400 IOPS RandomWrite
Zusätzliche Ausstattung Temperatursensor
Conformal Coating (optional))
Flash Management L³ Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
Garbage Collection
S.M.A.R.T. Unterstützung
TRIM
iData Guard
iPower Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 1,86W (Write)
Kapazität 32, 64, 128, 256, 512GB, 1, 2TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 37,5TB (32GB) bis 500TB (1TB) geschriebene Daten (2TB k.A.) (JEDEC 218)
Herstellergarantie 3 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung
Spezifikation InnoDisk M.2 (S80) 3TI7 InnoAGE 
Maße 22mm x 3,5mm x 80mm, 2280-D2-B-M Form Faktor
Solid State 3D TLC NAND Flash
Datentransferrate bis zu 550MB/s Sustained Read und
255MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 70000 IOPS (Random Read/Write) (abhängig von der Kapazität)
Zusätzliche Ausstattung Microsoft Azure Anbindung
Private Cloud Unterstützung
Customized Cloud Management Plattform
In-Band und Out-of-Band Netzwerk Management
Ethernet Daughterboard (optional)
WiFi Antenne (optional)
Temperatursensor
Conformal Coating (optional)
Flash Management L³ Architektur (lange Lebensdauer, hohe Performance)
Weitreichende Monitoring Funktionen
Internes Beriebssystem Backup in gesichertem Speicherbereich
ECC,
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
TRIM
iData Guard
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Leistungsaufnahme max. 1,95W
Kapazität 64, 128, 256, 512GB, 1TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C (Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 75TB (64GB) bis 500TB (512GB) geschriebene Daten (1TB k.A.) (JEDEC 218)
Herstellergarantie 3 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung