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M.2 NGFF NVMe Modul

Die M.2 NVMe Module entsprechen dem JEDEC M.2 Standard Next Generation Form Faktor (NGFF) mit einem PCIe Interface und sind eine schnelle Alternative zu Modulen mit SATA Interface.

Die Module sind in verschiedenen Abmessungen mit SLC, enhanced MLC und MLC Speicher erhältlich und bieten Kapazitäten bis zu 4TB mit der doppelten Performance von SATA SSDs. Mögliche Einsatzgebiete sind zum einen I/O intensive Datenbankanwendungen mit gleichzeitig großem Speicherbedarf sowie Anwendungen, die eine möglichst niedrige Latenzzeit erfordern, wie z.B. Überwachung, Bildverarbeitung oder Netzwerk Storage Systeme.

  • Ausgezeichnete Read/Write Performance
  • Keine beweglichen Teile
  • Sehr kompaktes, vibrationshemmendes Design
  • JEDEC M.2(NGFF)
  • Standard M.2 Stecker
  • PCIe Gen2x4, Gen3x2 oder Gen3x4 Interface
  • PCI Express Base Specification Rev.3.1
  • NVMe Express Base Specification Rev.1.2
  • Temperaturkontrolle
  • ECC Defect Management
  • Statisches und dynamisches Wear Leveling
  • Intelligente Fehlerkorrektur
  • S.M.A.R.T Funktionen
  • Powermanagement
  • Stoß- und Vibrationsfest
  • Geringe Leistungsaufnahme
  • Industrie Temperaturbereich optional
  • Innodisk
    M.2 (P42) 3ME2
  • Innodisk
    M.2 (P42) 3TE2
  • Novachips
    NS560 M.2 2280 pSLC
  • ATP
    M.2 2280 MLC
  • Innodisk
    M.2 (P80) 3ME2
  • Novachips
    NS560 M.2 2280 MLC
  • Innodisk
    M.2 (P80) 3TE2
  • Novachips
    NS570 M.2 22110 pSLC
  • Novachips
    NS570 M.2 22110 MLC
Spezifikation Innodisk M.2 (P42) 3ME2
Maße 22mm x 3,5mm x 42mm, 2242-D5-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen3 8Gb/s, 2 Lanes
Stecker 75 Position Edge Card Connector
Datentransferrate bis zu 1300MB/s Sustained Read und
340MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 51000 IOPS Random Read und
47000 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Temperatursensor
Flash Management ECC (LDPC und RAID Engine),
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
End-To-End Datenschutz
iData Guard
iCell (optional)
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 830mA (Sustained Write)
Kapazität 32, 64, 128, 256GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 38,7TB (32GB) bis 202,85TB (512GB) geschriebene Daten (Radom Write, JESD218)
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  
Spezifikation Innodisk M.2 (P42) 3TE2
Maße 22mm x 3,5mm x 42mm, 2280-D5-M Form Faktor
Solid State TLC NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen3 8Gb/s, 2 Lanes
Stecker 75 Position Edge Card Connector
Datentransferrate bis zu 1300MB/s Sustained Read und
650MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 55000 IOPS Random Read und
63000 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Hardware Schreibschutz (optional)
Temperatursensor
Flash Management ECC (LDPC und RAID Engine),
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
End-To-End Datenschutz
iData Guard
iCell (optional)
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 700mA (Sustained Write)
Kapazität 64, 128, 256, 512GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) k.A.
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  
Spezifikation Novachips NS560/NS569 M.2 2280 pSLC
Maße 22mm*3,8mm*80mm, 2280-D5-M Form Faktor
Solid State pSLC NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen2 5Gb/s, 4 Lanes
Stecker Standard M.2 NGFF
Datentransferrate bis zu 1000MB/s Sustained Read und
600MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 50000 IOPS Random Read / Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
AES-256 Verschlüsselung (optional)
Temperatursensor
Flash Management ECC (LDPC und RAID Engine)
Statisches und Dynamisches Wear Leveling
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
DRAM Cache
End-To-End Datenschutz
Power Loss Datenschutz
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 7W (Sustained Write)
Kapazität 125, 250, 500GB, 1TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >1 500 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 340TB (125GB) bis 2720TB (1TB) geschriebene Daten (Radom Write, JESD218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  
Spezifikation ATP M.2 2280 MLC
Maße 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D3-B-M Form Faktor
Solid State 3D MLC NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen3 8Gb/s, 4 Lanes
Stecker Standard M.2 NGFF
Datentransferrate bis zu 2540MB/s Sustained Read und
1100MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 100000 IOPS Random Read und
bis zu 128000 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
AES 256 und TCG Opal Verschlüsselung (optional)
Flash Management ECC (LDPC und RAID Engine)
Global Wear Leveling
AutoRefresh
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
DRAM Cache
TRIM
PowerProtector
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 7,29W (Sustained Write)
Kapazität 128, 256, 512GB, 1TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >2 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 76,8TB (128GB) bis 614,4TB (1TB) geschriebene Daten (Radom Write JESD218)
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  
Spezifikation Innodisk M.2 (P80) 3ME2
Maße 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D5-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen3 8Gb/s, 2 Lanes
Stecker 75 Position Edge Card Connector
Datentransferrate bis zu 1300MB/s Sustained Read und
480MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 51000 IOPS Random Read und
50000 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Hardware Schreibschutz (optional)
Temperatursensor
Flash Management ECC (LDPC und RAID Engine),
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
End-To-End Datenschutz
iData Guard
iCell (optional)
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 1130mA (Sustained Write)
Kapazität 32, 64, 128, 256, 512GB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 38,7TB (32GB) bis 390TB (512GB) geschriebene Daten (Radom Write, JESD218)
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  
Spezifikation Novachips NS560/NS569 M.2 2280 MLC
Maße 22mm*3,8mm*80mm, 2280-D5-M Form Faktor
Solid State MLC NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen2 5Gb/s, 4 Lanes
Stecker Standard M.2 NGFF
Datentransferrate bis zu 1000MB/s Sustained Read und
300MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 50000 IOPS Random Read/Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
AES-256 Verschlüsselung (optional)
Temperatursensor
Flash Management ECC (LDPC und RAID Engine)
Statisches und Dynamisches Wear Leveling
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
DRAM Cache
End-To-End Datenschutz
Power Loss Datenschutz
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 7W (Sustained Write)
Kapazität 250, 500GB, 1, 2TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >1 500 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 60TB (250GB) bis 480TB (2TB) geschriebene Daten (Radom Write, JESD218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  
Spezifikation Innodisk M.2 (P80) 3TE2
Maße 22mm*3,5mm*80mm, 2280-D5-M Form Faktor
Solid State TLC NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen3 8Gb/s, 2 Lanes
Stecker 75 Position Edge Card Connector
Datentransferrate bis zu 1300MB/s Sustained Read und
680MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 58000 IOPS Random Read und
66000 IOPS Random Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
Hardware Schreibschutz (optional)
Temperatursensor
Flash Management ECC (LDPC und RAID Engine),
Statisches und Dynamisches Wear Leveling,
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
Garbage Collection
End-To-End Datenschutz
iData Guard
iCell (optional)
kein DRAM Puffer
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 910mA (Sustained Write)
Kapazität 64, 128, 256, 512GB, 1TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >3 000 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) k.A.
Herstellergarantie 2 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  
Spezifikation Novachips NS570/NS579 M.2 22110 pSLC
Maße 22mm*3,8mm*80mm, 22110-D5-M Form Faktor
Solid State pSLC HyperLink™ NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen2 5Gb/s, 4 Lanes
Stecker Standard M.2 NGFF
Datentransferrate bis zu 1200MB/s Sustained Read und
1200MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 50000 IOPS Random Read/Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
AES-256 Verschlüsselung (optional)
Temperatursensor
Flash Management HyperLink™ Architektur
ECC (LDPC und RAID Engine)
Statisches und Dynamisches Wear Leveling
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
DRAM Cache
End-To-End Datenschutz
Power Loss Datenschutz
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 8W (Sustained Write)
Kapazität 1, 2TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >1 500 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 2720TB (1TB) bis 5440TB (2TB) geschriebene Daten (Radom Write, JESD218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  
Spezifikation Novachips NS570/NS579 M.2 22110 MLC
Maße 22mm*3,8mm*80mm, 22110-D5-M Form Faktor
Solid State MLC HyperLink™ NAND Flash (Industriestandard)
Interface PCIe Gen2 5Gb/s, 4 Lanes
Stecker Standard M.2 NGFF
Datentransferrate bis zu 1000MB/s Sustained Read und
800MB/s Sustained Write (abhängig von der Kapazität)
I/O Performance bis zu 50000 IOPS Random Read / Write
Zusätzliche Ausstattung Conformal Coating (optional)
AES-256 Verschlüsselung (optional)
Temperatursensor
Flash Management HyperLink™ Architektur
ECC (LDPC und RAID Engine)
Statisches und Dynamisches Wear Leveling
Dynamische Temperaturüberwachung und -drosselung
Bad Block Management
S.M.A.R.T. Unterstützung
DRAM Cache
End-To-End Datenschutz
Power Loss Datenschutz
Spannungsversorgung 3,3VDC +/- 5%
Stromverbrauch max. 9W (Sustained Write)
Kapazität 1, 2, 4TB
Temperaturbereich (Betrieb) 0°C bis 70°C Standard Temperaturbereich)
-40°C bis 85°C (Industrie Temperaturbereich)
MTBF >1 500 000 Stunden (Telcordia, 25°C)
Lebensdauer (TBW) 250TB (1TB) bis 1000TB (4TB) geschriebene Daten (Radom Write, JESD218)
Herstellergarantie 5 Jahre
Bestellinformation
auf Anforderung  

(Technische Änderungen vorbehalten)